擴散硅與電容式變送器的區別
壓力變(bian)送器根據感壓膜片的不同分為(wei)電容式、擴(kuo)散硅(gui)(gui)式、單晶硅(gui)(gui)式和陶瓷式,本(ben)文主要討(tao)論電容式和擴(kuo)散硅(gui)(gui)式。
一、電容式壓力變送器
原理(li):電容(rong)式壓力變送器有一個(ge)可變電容(rong)的(de)傳(chuan)感(gan)(gan)(gan)組件,該傳(chuan)感(gan)(gan)(gan)器是一個(ge)*封閉的(de)組件,過程壓力、差壓通(tong)過隔離膜(mo)片和灌充硅油傳(chuan)到傳(chuan)感(gan)(gan)(gan)膜(mo)片引起位移,傳(chuan)感(gan)(gan)(gan)膜(mo)片和兩(liang)電容(rong)極板(ban)之間的(de)電容(rong)差由(you)電子部件轉換成4-20ma電流信號。
簡單的說,壓力引(yin)起電(dian)容的變化。
其優(you)點為(wei):可以做(zuo)到(dao)極低壓力;抗過載能力強;精度高。缺點為(wei):高壓測量缺乏優(you)勢;傳感器(qi)封(feng)裝(zhuang)工(gong)藝要求高。
二、擴散硅式壓力變送器
擴(kuo)散硅式壓力(li)變送器原理:被測介質的壓力(li)直接作(zuo)用于傳(chuan)感器的擴(kuo)散硅膜片(pian)上,使膜片(pian)產生(sheng)與介質壓力(li)成正(zheng)比的微小位移。在正(zheng)常(chang)狀態下,膜片(pian)大位移不大于0.025mm,電子(zi)線路檢測這(zhe)一位移量(liang)后,即(ji)把(ba)這(zhe)一位移量(liang)轉(zhuan)化成4-20ma信(xin)號。
簡單的(de)說(shuo),壓力引起電阻的(de)變化。
超壓(ya)時(shi)膜(mo)片(pian)直接貼到(dao)堅固(gu)的(de)(de)擴散硅上(shang),由于膜(mo)片(pian)和(he)基體(ti)的(de)(de)間隙只(zhi)有(you)(you)0.1mm,因此過壓(ya)時(shi)膜(mo)片(pian)的(de)(de)大(da)位移也只(zhi)有(you)(you)0.1mm,所以從(cong)結構上(shang)保(bao)證了膜(mo)片(pian)不會產生過大(da)的(de)(de)變形,該(gai)傳感器具有(you)(you)很好的(de)(de)穩定性和(he)高精度。
其優點是:穩(wen)定(ding)性高(gao)(gao),每年優于(yu)0.1%FS;溫(wen)度偏(pian)移小,由(you)于(yu)取消(xiao)了測量元件中的液體,因此傳感器能夠(gou)獲得很(hen)高(gao)(gao)的精度;價(jia)格便(bian)宜。缺點是:低(di)于0℃或高于85℃難以正(zheng)常使(shi)用;不能(neng)承受動(dong)態壓力;膜片易(yi)損壞;不適用20MPa以上的壓力。